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Journal Papers
- H. Morino, T. Maruyama, and K. Iiyama,
“Reduction of Wavelength Dependence of Coupling Characteristics Using Si Optical Waveguide Curved Directional Coupler,”
J. Lightwave Technol., vol. 32, no. 12, pp. 2188-2192, Jun. 2014. - G. Li, T. Maruyama, and K. Iiyama,
“Low-propagation-loss Ta2O5 Optical Waveguides on Silica Substrate,”
Jpn. J. Appl. Phys., vol. 53, no. 4S, pp. 04EG12(4 pages), Mar. 2014. - K. Maekita, T. Maruyama, K. Iiyama, and T. Suzuki,
“GHz Response of Metamorphic InAlAs Metal-semiconductor-metal Photodetector on GaAs Substrate,”
Jpn. J. Appl. Phys., vol. 53, no. 2S, pp. 02BC16(5 pages), Feb. 2014.
International Conference
- G. Li, K. Maekita, T. Maruyama, and K. Iiyama,
“Structure dpendence of over 10 GHz lateral Si-PIN photodiode fabricated by CMOS compatible process,”
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM 2014）, PS-7-1, Tsukuba, Japan（2014.9）. - N. A. Lasam, K. Iiyama, T. Maruyama, Y. Kimura, and N. V. Tu,
“Linearization of nonlinear beat frequency in FMCW interferometry through waveform modifying technique,”
2014 2nd International Conference on Electronic Design（ICED 2014）, Penang, Malaysia（2014.8） - T. Maruyama, K. Maekita, G. Li, and K. Iiyama,
“High speed operation of SOI pin photodiodes fabricate by CMOS compatible process,”
19th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2014), TUPS1-34, Melbourne, Australia（2014.7）. - K. Iiyama, T. Shimotori, R. Gyobu, T. Hishiki, and T. Maruyama,
“10 GHz bandwidth of Si avalanche photodiode fabricated by standard 0.18 μm CMOS process,”
19th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2014), TU4C-3, Melbourne, Australia, （2014.7）.
Domestic Conferences 中川仁志，佐々木敏洋，飯山宏一，丸山武男 感光性樹脂を用いた単一モード光導波路と方向性結 合器の作製，平成 26 年度応用物理学会北陸・信越 支部学術講演会，8-E-5，富山大学（2014.11）. 菱木拓哉，丸山武男，飯山宏一 光速光受信機のためのトランスインピーダンス増幅 回路に関する研究，平成 26 年度応用物理学会北陸・ 信越支部学術講演会，8-E-3，富山大学（2014.11）. 三津野翔哉，李根，丸山武男，飯山宏一 CMOS 互換プロセスを用いた SOI-PIN 型高速光検 出器の定電圧特性，平成 26 年度応用物理学会北陸・ 信越支部学術講演会，8-E-2，富山大学（2014.11）. 中瀬大志，丸山武男，飯山宏一 Si/SiO2 方向性結合器を用いた TE/TM スプリッタ の設計，平成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部 学術講演会，8-E-1，富山大学（2014.11）. 近藤勇樹，尾澤秋弘，野村圭介，川江健，飯山宏一， 森本章治 b-Ga2 O3 上 へ の BiFeO3 薄 膜 の 作 製 と 評 価， 平 成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会， 8-A-3，富山大学（2014.11）. 刑部僚一，菱木拓哉，飯山宏一，丸山武男 標準 CMOS プロセスによるアバランシェ光検出器 の 10GHz 動作，電子情報通信学会 2014 年ソサイエ ティ大会，C-4-32，徳島大学（2014.9）. 木村洋介，五十嵐彬宏，N. A. Md Lazam，N. V. Tu， 丸山武男，飯山宏一 FMCW 光センサシステムによる物体形状計測，電 子情報通信学会 2014 年ソサイエティ大会，C-3-47， 徳島大学（2014.9）. 李根，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 CMOS 互換プロセスを用いた横型薄膜 Si-PIN 光検 出器の 10 GHz 超応答，第 75 回応用物理学会秋季学 術講演会，17p-PA3-3，北海道大学（2014.9）. 五十嵐彬宏，木村洋介，N. V. Tu，N. A. Md Lazam， 丸山武男，飯山宏一 FMCW 光距離センシングシステムを応用した物体 形状計測，平成 26 年度電気関係学会北陸支部連合 大会，H-7，富山高等専門学校（2014.9）. 李根，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 CMOS 互換プロセスによる SOI 横型 PIN 光検出器 の高速応答特性，電子情報通信学会レーザ・量子 エレクトロニクス研究会，LQE2014-1，福井大学 （2014.5） 刑部僚一，霜鳥敏之，菱木拓哉，飯山宏一，丸山武男 CMOS-APD の青色波長帯における高感度・高速動 作，電子情報通信学会 2014 年総合大会，C-4-12， 新潟大学（2014.3）. 丸山武男，飯山宏一 CMOS 標準プロセスを用いた光デバイスの現状， 電子情報通信学会 2014 年総合大会，C-4-6，新潟大 学（2014.3）. 木村洋介，五十嵐彬宏，N. V. Tu，N. A. Md Lazam， 丸山武男，飯山宏一 FMCW 光距離センサの距離測定精度の検討，電子 情報通信学会 2014 年総合大会，C-3-28，新潟大学 （2014.3）. 李根，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 ‒ 170 ‒ CMOS 互換プロセスを用いた薄膜 PIN 型 Si 光検出 器の sub-10 GHz 応答，第 61 回応用物理学会春季 学術講演会，18a-F9-2，青山学院大学（2014.3）. 佐々木仁，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 CMOS 互換プロセスを用いた PIN 型薄膜 Si 光検出 器の sub-10GHz 応答，平成 25 年度応用物理学会北 陸・信越支部学術講演会，23a-D-5，金沢工業大学 （2013.11）. 森野久康，丸山武男，飯山宏一 Si/SiO2 曲線方向性結合器を用いた結合特性の波長 依存性低減，電子情報通信学会レーザ・量子エレク トロニクス研究会，LQE2013-63，門司港・海峡ロ マンホール（2013.10）. 丸山武男，飯山宏一 CMOS フ ォ ト ニ ク ス − CMOS 互 換 プ ロ セ ス と CMOS 標準プロセスの違い，電子情報通信学会シ リコン・フォトニクス研究会，SIPH2013-22，東京 工業大学（2013.10）. 刑部遼一，霜鳥敏之，菱木拓哉，丸山武男，飯山宏一 CMOS-APD の青色波長帯における高感度・高速 動作，平成 25 年電気関係学会北陸支部連合大会， D-7，金沢大学（2013.9）. 木村洋介，丸山武男，飯山宏一 FMCW センシングシステムにおける微小変位測定 の検討，平成 25 年電気関係学会北陸支部連合大会， D-6，金沢大学（2013.9）. 飯山宏一，丸山武男 標準 CMOS プロセスによる高感度・高速光検出器 の開発，平成 25 年電気関係学会北陸支部連合大会， D-I，金沢大学（2013.9）. 李根，趙越，丸山武男，飯山宏一 CF4 ド ラ イ エ ッ チ ン グ に よ る 五 酸 化 タ ン タ ル （Ta2O5）光導波路，応用物理学会秋季学術講演会， 19a-P2-6，同志社大学（2013.9）. 高橋良平，丸山武男，飯山宏一 面発光レーザ構造実現に向けた有機層 /SiO2 基板 貼付け，第 74 回市応用物理学会秋季学術講演会， 17p-P4-8，同志社大学（2013.9）. 前北和晃，丸山武男，飯山宏一，鈴木寿一 GaAs 基板上メタモルフィック InAlAs による MSM 型光検出器の GHz 応答，第 74 回応用物理学会秋季 学術講演会，16a-A8-5，同志社大学（2013.9）. 前北和晃，丸山武男，飯山宏一，鈴木寿一 GaAs 基板上メタモルフィック InAlAs による MSM 型光検出器の GHz 応答，電子情報通信学会光エレ クトロニクス研究会，OPE2013-10，機械振興会館 （東京）（2013.6）. 霜鳥敏之，刑部僚一，丸山武男，飯山宏一 標準 CMOS プロセスで作製したアバランシェ光検 出器の高速応答特性，電子情報通信学会レーザ・量 子エレクトロニクス研究会，LQE2013-16，金沢大 学（2013.5）. 前北和晃，丸山武男，飯山宏一 BCB 貼付け法による Si 基板上 MSM 型 InGaAs 光検 出器の GHz 応答，電子情報通信学会レーザ・量子 エレクトロニクス研究会，LQE2013-15，金沢大学 （2013.5）. 森野久康，丸山武男，飯山宏一 Si/SiO 2 曲線方向性結合器を用いた結合特性の波長 依存性低減，第 60 回応用物理学会春季学術講演会， 27p-PA2-13，神奈川工科大学（2013.3）. 木村洋介，吉本大祐，丸山武男，飯山宏一 FMCW センシングシステムにおける測距精度に関 する検討，応用物理学会北陸・信越支部学術講演会， 16p-D-9，富山県民会館（2012.11）. 宮川治誉，丸山武男，飯山宏一 ドライエッチングによる非晶質 PET 光導波路の作 製，平成 24 年度応用物理学会北陸・信越支部学術 講演会，16p-D-7，富山県民会館（2012.11）. 寺澤佳大，北村広美，丸山武男，飯山宏一 Nd 錯体を添加した非晶質 PET 光導波路，平成 24 年 度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会，16p- D-4，富山県民会館（2012.11）. 霜鳥敏之，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 CMOS プロセスを用いて作製した Si APD の 7 GHz 応答，平成 24 年度応用物理学会北陸・信越支部学 術講演会，16p-D-1，富山県民会館（2012.11）. 松本真輝，丸山武男，飯山宏一 Si 基板上 PZT 光導波路の作製と伝搬特性，第 73 回 応用物理学会学術講演会，12p-C5-7，愛媛大学・ 松山大学（2012.9）. 森野久康，丸山武男，飯山宏一 スロット導波路による Si 吸収波長帯での伝搬解析， 第 73 回応用物理学会学術講演会，12a-PA3-9，愛 媛大学・松山大学（2012.9）. 前北和晃，霜鳥敏之，丸山武男，飯山宏一 0.35μm BiCMOS プロセスで作製した Si フォトダイ オードの GHz 応答，電子情報通信学会レーザ・量 子エレクトロニクス研究会，LQE2012-17，機械振 興会館（東京）（2012.6）. 霜鳥敏之，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 CMOS プロセスで作製した正孔注入方式 APD の青 色波長帯における特性評価，電子情報通信学会レー ザ・量子エレクトロニクス研究会，LQE2012-10， 福井大学（2012.5）. 李根，江渕真伍，橋本康典，丸山武男，飯山宏一 垂 直 入 射 型 Si 光 検 出 器 と 光 導 波 路 の 集 積 化 に 向 け た 導 波 路 型 回 折 格 子 結 合 器 の 解 析， 電 子 情 報 通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会， LQE2012-2，福井大学（2012.5）. 松本真輝，江渕真伍，丸山武男，飯山宏一 ITO バッファ層を用いた Si 基板上 PZT,PLZT 薄膜 の作製と評価，第 59 回応用物理学関係連合講演会， 16p-GP2-12，早稲田大学（2012.3）. 森野久康，丸山武男，飯山宏一 スロット導波路と方向性結合器の関係，第 59 回応 用物理学関係連合講演会，18a-GP4-20，早稲田大 学（2012.3）. 寺澤佳大，河原健志，藤井洋輔，北村広美，丸山武男， 飯山宏一 Nd 3+ 錯体を添加したポリスチレン光導波路の発光 特性，第 59 回応用物理学関係連合講演会，16p-F4- ‒ 171 ‒ 12，早稲田大学（2012.3）. 霜鳥敏之，乙坂英志，飯山宏一，丸山武男 CMOS-APD の青色波長帯での受光特性，第 59 回応 用物理学関係連合講演会，16p-F3-14，早稲田大学 （2012.3）. 前北和晃，乙坂英志，霜鳥敏之，丸山武男，飯山宏一 0.35 μm BiCMOS プロセスによる Si-APD の特性評 価，第 59 回応用物理学関係連合講演会，16p-F3- 14，早稲田大学（2012.3）