超高周波工学研究室

研究業績

International Conferences

1. T. Shimotori, K. Maekita, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “High-speed Si CMOS APD by standard CMOS process,”
   2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence（ISPEC 2012）, P-11, Tokyo, Japan（2012.12）.
2. T. Maruyama, S. Ebuchi, M. Matsumoto, and K. Iiyama,
   “PZT optical waveguide on Silicon substrate,”
   2012 International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM 2012）,
   PS-7-25, Kyoto, Japan（2012.9）.
3. G. Li, Y. Hashimoto, S. Ebuchi, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “High-efficiency optical coupling to planar photodiode using metal reflector loaded waveguide grating coupler,”
   12th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices（NUSOD2012）, TuB4, Shanghai, China（2012.8）.
4. K. Maekita, T. Shimotori, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “GHz response of Si photodiodes fabricated with 0.35-μm Si BiCMOS technology,”
   9th International Conference on Group IV photonics, ThP10, San Diego, USA（2012.8）.
5. M. Matsumoto, S. Ebuchi, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “Ferroelectric properties of PZT and PLZT films on Si substrate with ITO buffer layer,”
   9th International Conference on Group IV photonics, ThE4, San Diego, USA（2012.8）
6. H. Morino, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “Propagation of lossy wave in Si slot waveguide,”
   9th International Conference on Group IV photonics, ThE1, San Diego, USA（2012.8）.
7. T. Shimotori, K. Maekita, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “Characterization of APDs fabricated by 0.18 μm CMOS process in blue wavelength region,
   17th Opto-Electronics and Communications Conference （OECC 2012）, 5D1-3, Busan, Korea（2012.7）.
8. S. Ebuchi, M. Matsumoto, T. Maruyama, and K. Iiyama,
   “Ferroelectric properties of PZT film on Si substrate with ITO buffer layer,”
   2012 Material Research Society Spring Meeting, M-5.4, Sun Francisco, USA（2012.4）.

Domestic Conferences

1. 木村洋介，吉本大祐，丸山武男，飯山宏一,
   “FMCWセンシングシステムにおける測距精度に関する検討,”
   応用物理学会北陸・信越支部学術講演会，16p-D-9，富山県民会館（2012.11）.
2. 宮川治誉，丸山武男，飯山宏一,
   “ドライエッチングによる非晶質PET光導波路の作製,”
   平成24年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会，16p-D-7，富山県民会館（2012.11）.
3. 寺澤佳大，北村広美，丸山武男，飯山宏一,
   “Nd錯体を添加した非晶質PET光導波路,”
   平成24年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会，16p-D-4，富山県民会館（2012.11）.
4. 霜鳥敏之，前北和晃，丸山武男，飯山宏一,
   “CMOSプロセスを用いて作製したSi APDの7GHz応答,”
   平成24年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会，16p-D-1，富山県民会館（2012.11）.
5. 松本真輝，丸山武男，飯山宏一,
   “Si基板上PZT光導波路の作製と伝搬特性,”
   第73回応用物理学会学術講演会，12p-C5-7，愛媛大学・松山大学（2012.9）.
6. 森野久康，丸山武男，飯山宏一,
   “スロット導波路によるSi吸収波長帯での伝搬解析,”
   第73回応用物理学会学術講演会，12a-PA3-9，愛媛大学・松山大学（2012.9）.
7. 前北和晃，霜鳥敏之，丸山武男，飯山宏一,
   “0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答,”
   電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会，LQE2012-17，機械振興会館（東京）（2012.6）.
8. 霜鳥敏之，前北和晃，丸山武男，飯山宏一,
   “CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価,”
   電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会，LQE2012-10，福井大学（2012.5）.
9. 李根，江渕真伍，橋本康典，丸山武男，飯山宏一,
   “垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析,”
   電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会，LQE2012-2，福井大学（2012.5）.
10. 松本真輝，江渕真伍，丸山武男，飯山宏一,
    “ITOバッファ層を用いたSi基板上PZT,PLZT薄膜の作製と評価,”
    第59回応用物理学関係連合講演会，16p-GP2-12，早稲田大学（2012.3.16）.
11. 森野久康，丸山武男，飯山宏一,
    “スロット導波路と方向性結合器の関係,”
    第59回応用物理学関係連合講演会，18a-GP4-20，早稲田大学（2012.3.18）.
12. 寺澤佳大，河原健志，藤井洋輔，北村広美，丸山武男，飯山宏一,
    “Nd3+錯体を添加したポリスチレン光導波路の発光特性,”
    第59回応用物理学関係連合講演会，16p-F4-12，早稲田大学（2012.3.16）.
13. 霜鳥敏之，乙坂英志，飯山宏一，丸山武男,
    “CMOS-APDの青色波長帯での受光特性,”
    第59回応用物理学関係連合講演会，16p-F3-14，早稲田大学（2012.3.16）.
14. 前北和晃，乙坂英志，霜鳥敏之，丸山武男，飯山宏一,
    “0.35μm BiCMOSプロセスによるSi-APDの特性評価,”
    第59回応用物理学関係連合講演会，16p-F3-13，早稲田大学（2012.3.16）