超高周波工学研究室

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[[Achievements|研究業績]]

**Journal Papers**
  - D. Plumwongrot, T. Maruyama, A. Haque, H. Yagi, K. Miura, Y. Nishimoto and S. Arai,\\ "Polarization anisotropy of spontaneous emission spectra in GaInAsP/InP quantum-wire structures,"\\ Jpn. J. Appl. Phys. vol. 47, no. 5 pp 3735-3741, May 2008. 

**International Conferences**
  - D. Plumwongrot, Y. Tamura, Y. Nishimoto, M. Kurokawa, T. Maruyama, N. Nishiyama, and S. Arai,\\ "Length dependencies of in-plane polarizations anisotropy in GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by dry etching and regrowth process,"\\ OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), San Jose (USA), 6902-4, Jan. 21, 2008.
  - D. Plumwongrot, M. Kurokawa, T. Okumura, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, and S. Arai,\\ "Reduction of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP DQW Lasers Fabricated by 2-step Growths,"\\ OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), San Jose (USA), Jan. 24, 2008.
  - T. Okumura, T. Maruyama, H. Yonezawa, N. Nishiyama, S. Arai,\\ "Injection type GaInAsP/InP/Si DFB lasers directly bonded on SOI substrate,"\\ The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008), Versailles (France), TuA1.6, May 27, 2008.
  - M. Kurokawa, D. Plumwongrot, K. Ozawa, T. Maruyama, S. Arai and N. Nishiyama,\\ "RIE-plasma induced optical property degradation in GaInAsP/InP quantum-well structures,"\\ The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008), Versailles (France), WeP39, May 28, 2008.
  - M. Kurokawa, D. Plumwonrot, T. Maruyama, N. Nishiyama and S. Arai,\\ "CH<sub>4</sub>/H<sub>2</sub>-RIE induced optical property degradation in GaInAsP/InP quantum-well structures,"\\ International Nano-Optoelectronic Workshop 2008 (iNOW 2008), Tokyo, Saiko and Shonan (Japan), P3-19, Aug. 7, 2008.
  - K. Inoue, N. Nishiyama, H. Enomoto, S. Tamura, T. Maruyama and S. Arai,\\ "Evaluation of Si wire waveguide fabricated by parallel plate RIE process using double layered EB resist containing C<sub>60</sub>,"\\ International Nano-Optoelectronic Workshop 2008 (iNOW 2008), Tokyo, Saiko and Shonan (Japan), P3-24, Aug. 7, 2008.
  - H. Yonezawa, T. Maruyama, T. Okumura, N. Nishiyama and S. Arai,\\ "Injection type GaInAsP/InP DFB lasers directly bonded on SOI substrate,"\\  International Nano-Optoelectronic Workshop 2008 (iNOW 2008), Tokyo, Saiko and Shonan (Japan), P4-16, Aug. 8, 2008.
  - K. Inoue, D. Plumuwongrot, N. Nishiyama, S. Sakamoto, H. Enomoto, S. Tamura, T. Maruyama and S. Arai,\\ "Loss reduction of Si wire waveguide on SOI substrate prepared by parallel plate RIE using double layered resist mask with C<sub>60</sub>,"\\ the IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC 2008), Kyoto (Japan), Mo P20, Oct. 20, 2008.


**Domestic Conferences**
  - プルームウォンロート・タノーム, 小沢浩二, 黒川宗高, 田村茂雄, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久,\\ 「低温現像によるGaInAsP/InP量子細線構造の線幅ばらつきの低減」,\\ 第55回応用物理学関係連合講演会, 28p-E-18, 千葉、Mar. 28, 2008.
  - 黒川宗高, プルームウォンロート・タノーム, 小沢浩二, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久,\\ 「GaInAsP/InP量子井戸構造のRIEプラズマによるPL強度劣化とアニールによる回復」,\\ 第55回応用物理学関係連合講演会, 28p-P9-7, 千葉, Mar. 28, 2008.
  - 奥村忠嗣, 丸山武男, 米澤英徳, 西山伸彦, 荒井滋久,\\ 「直接貼付法によるSOI基板上注入形GaInAsP/InP DFB レーザ」,\\ 第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZQ-4, 千葉, Mar. 29, 2008.
  - 井上敬太, プルームウォンロート･タノーム, 西山伸彦, 阪本真一, 榎本晴基, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久,\\ 「C<sub>60</sub>含有と非含有EBレジストZEPの重ね塗りによるSi導波路ドライエッチング形状の向上」,\\ 第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZG-15, 千葉, Mar. 29, 2008.
  - 奥村忠嗣, 丸山武男, 米澤英徳, 西山伸彦, 荒井滋久,\\ 「SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ」,\\ 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, LQE2008-29, pp. 45-50, 東京, Jun. 27, 2008.
  - 小野裕佑, 高村俊裕, 丸山武男, 飯山宏一,\\ 「PETをコア層に用いた有機光導波路の検討」,\\ 平成20年度 電気関係学会北陸支部連合大会, D-29, 富山, Sep. 13, 2008.
  - 高松英輝, 山王紀明, 丸山武男, 飯山宏一,\\ 「CMOSプロセスによるアバランシェフォトダイオード」,\\ 平成20年度 電気関係学会北陸支部連合大会, D-22, 富山, Sep. 13, 2008.
  - 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳,\\ 「SOI上の半導体薄膜レーザ」, \\ 第10回 電子情報通信学会 シリコンフォトニクス研究会, SIPH2008-15, 東京, Nov. 7, 2008. (招待講演)
  - 西山伸彦, 丸山武男, 荒井滋久,\\ 「シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状」,\\ 2009年電子情報通信学会総合大会, CI-2-4, 愛媛, Mar. 18, 2009.


**Local Meetings**

**Others**