2010

差分

このページの2つのバージョン間の差分を表示します。

この比較画面へのリンク

--- 2010 [2024/03/05 00:23] – admin
+++ 2010 [2024/03/05 22:12] (現在) – admin
@@ 行 1: / 行 1: @@
 **Journal Papers**
   - K. Iiyama, H. Takamatsu and T. Maruyama,\\ "Hole-injection-type and electron-injection-type silicon avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18 μm CMOS process,"\\ IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 22, no. 12, pp. 932-934, Jun. 2010.
 **International Conferences**
@@ 行 9: / 行 10: @@
 **Others**
+.	稲本慎, 丸山武男, 飯山宏一, 「MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析」, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 福井, 2010年5月発表予定.
+.	飛鳥井貴弘, 稲本慎, 丸山武男, 飯山宏一, 大平圭介, 松村英樹, 「波長0.8 m帯におけるアモルファスシリコン光導波路の伝搬損失」, 第57回 応用物理学関係連合講演会, 17p-P3-8, 平塚, 2010年3月.
+.	高松英輝, 丸山武男, 飯山宏一, 「0.18m CMOSプロセスによるSi APDの高速化の検討」, 第57回 応用物理学関係連合講演会, 20a-E-6, 平塚, 2010年3月.

2010.1709565837.txt.gz · 最終更新: 2024/03/05 00:23 by admin