2010

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-K. Iiyama, H. Takamatsu and T. Maruyama, "Hole-injection-type and electron-injection-type silicon avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18 μm CMOS process," IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 22, no. 12, pp. 932-934, Jun. 2010.
+**Journal Papers**
+  - K. Iiyama, H. Takamatsu and T. Maruyama,\\ "Hole-injection-type and electron-injection-type silicon avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18 μm CMOS process,"\\ IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 22, no. 12, pp. 932-934, Jun. 2010.
+**International Conferences**
+  - M. Inamoto, T. Maruyama, and K. Iiyama,\\ "Analysis of SOI-Based Optical Waveguide Switch with MEMS Evanescent Coupler,"\\ 7th International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication (ODF 2010), 20PSa-71, Yokohama (Japan), Apr. 2010.
+**Domestic Conferences**
+**Local Meetings**
+**Others**
+.	稲本慎, 丸山武男, 飯山宏一, 「MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析」, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 福井, 2010年5月発表予定.
+.	飛鳥井貴弘, 稲本慎, 丸山武男, 飯山宏一, 大平圭介, 松村英樹, 「波長0.8 m帯におけるアモルファスシリコン光導波路の伝搬損失」, 第57回 応用物理学関係連合講演会, 17p-P3-8, 平塚, 2010年3月.
+.	高松英輝, 丸山武男, 飯山宏一, 「0.18m CMOSプロセスによるSi APDの高速化の検討」, 第57回 応用物理学関係連合講演会, 20a-E-6, 平塚, 2010年3月.

2010.1640012176.txt.gz · 最終更新: 2021/12/20 23:56 by admin